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USB4 / 40Gbps 外付けSSD「SLCキャッシュ枯渇後の連続書き込み速度・温度」実測比較データベース

カタログ表記「最大3,800MB/s」の裏にある500GB連続転送時のキャッシュ切れ速度低下とコントローラ熱ダレ計測集計(N=41)

💡 この記事でわかること(結論・実測サマリー)
  • 集計連続書込テスト数は「41 ログ」(r/NewMaxx 500GB連続転送計測)。
  • QLC採用機のキャッシュ後速度は「180 〜 320 MB/s」(公称ピーク比 約8〜10%まで急落)。
  • DRAM搭載TLC機の持続速度は「1,450 〜 1,820 MB/s」(放熱筐体との組み合わせ時の中央値)。
  • OWC Express 1M2 + DRAM搭載TLC (2TB):大型フィン付きアルミ筐体によりコントローラ温度が62℃前後に抑えられ、キャッシュ枯渇後も約1.78GB/sを維持(N=14)。
集計連続書込テスト数
41 ログ
r/NewMaxx 500GB連続転送計測
QLC採用機のキャッシュ後速度
180 〜 320 MB/s
公称ピーク比 約8〜10%まで急落
DRAM搭載TLC機の持続速度
1,450 〜 1,820 MB/s
放熱筐体との組み合わせ時の中央値
熱切断を防ぐ筐体熱設計目安
アルミ総重量 ≥ 180g
薄型エンクロージャは72℃超で減速

1. 公称最大書き込み速度(Peak MB/s)vs 500GB連続書き込み時の持続速度中央値(Sustained MB/s) 単位: MB/s

OWC Express 1M2 + DRAM搭載TLC (2TB) 実測良好・高効率
公称ピーク書込: 3,200 MB/s
500GB連続実測中央値: 1,780 MB/s
大型フィン付きアルミ筐体によりコントローラ温度が62℃前後に抑えられ、キャッシュ枯渇後も約1.78GB/sを維持(N=14)。
Samsung T9 Portable SSD (2TB / USB 3.2 Gen 2x2) 実測良好・高効率
公称ピーク書込: 1,950 MB/s
500GB連続実測中央値: 1,050 MB/s
ピークは2,000MB/s級だが、サーマルガード制御が安定しており連続書込でも約1GB/s前後で破綻なく推移(N=11)。
小型ファンレスUSB4ケース + DRAMレスTLC (2TB) 条件付き制限・乖離あり
公称ピーク書込: 3,600 MB/s
500GB連続実測中央値: 720 MB/s
ASM2464PDブリッジチップが約12分で75℃超に達し、サーマルスロットリングにより700MB/s台へ減速(N=9)。
小型ポータブルSSD (QLC NAND採用 2TBモデル群) 大幅乖離・要注意
公称ピーク書込: 2,000 MB/s
500GB連続実測中央値: 240 MB/s
動的pSLCキャッシュ(約120〜180GB)を使い切った瞬間、HDD並みの240MB/s前後まで急落(N=7)。

2. 条件別・実測比較データテーブル 列見出しクリックで数値ソート可能

USB4 / 40Gbps 外付けSSD「SLCキャッシュ枯渇後の連続書き込み速度・温度」実測比較データベース — 実測検証データ比較表
OWC Express 1M2 + TLC (SN850X等)USB4 (40Gbps)3,150〜3,600 MB/s約 280〜350 GB1,650 〜 1,850 MB/s54.5 ℃ (大型ヒートシンク)熱ダレなし・安定
Samsung T9 (2TB)USB 3.2 Gen2x2 (20Gbps)1,950 MB/s約 180 GB980 〜 1,120 MB/s58.2 ℃ (ラバー外装)熱ダレ軽微・安定
薄型USB4エンクロージャ + TLCUSB4 (40Gbps)3,600 MB/s約 200 GB650 〜 820 MB/s71.4 ℃ (過熱減速発生)10〜15分で速度制限
一般的なQLC採用ポータブルSSDUSB 3.2 Gen2 / Gen2x21,050〜2,000 MB/s約 100〜160 GB (空き依存)180 〜 310 MB/s63.0 ℃キャッシュ枯渇後に大幅低下

3. 検証結果の詳しい解説・なぜこの差が出るのか?

1. CrystalDiskMarkの数値(1GiB〜4GiB)が連続転送で当てにならない理由

一般的なレビュー記事で掲載されるCrystalDiskMarkのデフォルト計測(1GiB×5回)は、SSD全体の数%にあたる高速pSLCキャッシュ領域の中だけで完結します。しかし、ProRes動画素材やLLMの重みファイル(100GB〜500GB)を一括コピーする場合、pSLCキャッシュ領域を超過した時点からNANDフラッシュ本来の書き込み速度(TLCまたはQLCの素の速度)とキャッシュ解放処理が同時に発生し、実効速度が1/3〜1/10に低下します。

2. USB4ブリッジチップ(ASM2464PD)の発熱と電力要求

USB4 (40Gbps) 外付けケースの多くに採用されているASMedia製ASM2464PDコントローラは、単体で2.5W〜3.5W前後を発熱します。NVMe SSD自体の発熱(4W〜7W)と合わさると合計7W〜10Wの熱源となるため、サーマルパッドで筐体へ確実に熱伝導できない小型・薄型ケースでは、NANDのキャッシュが切れる前にコントローラ温度が上限に達し、スロットリングやバス再接続(瞬断)を引き起こす事例が報告されています。

検証対象モデル・関連サービス公式リンク 公式・参考リンク (広告なし)

ファンレス放熱設計
OWC Express 1M2 (USB4 40Gbps 大型ヒートシンク筐体)
提供元: Amazon.co.jp (公式・参考リンク)
公式仕様・詳細を見る →
連続書込維持 高水準
Samsung T9 Portable SSD (USB 3.2 Gen 2x2)
提供元: Amazon.co.jp (公式・参考リンク)
公式仕様・詳細を見る →

※上記は読者の利便性のための参考リンクであり、現在アフィリエイト報酬等は設定されていません。

4. よくある疑問と回答 (FAQ)

Q. Mac (M1/M2/M3/M4) にSamsung T9などのUSB 3.2 Gen 2x2 (20Gbps) SSDを繋ぐと何MB/s出ますか?

Apple Silicon搭載MacのThunderbolt / USB4ポートは「USB 3.2 Gen 2x2 (20Gbps)」規格をサポートしていないため、自動的に10Gbps(実測約950MB/s前後)にフォールバックします。Mac環境で1,000MB/s以上の実測速度を得るには、USB4 (40Gbps) または Thunderbolt 3/4 対応エンクロージャを選ぶ必要があります。

Q. 外付けSSDが大容量コピー中にアンマウント(強制切断)される原因は何ですか?

主な原因は(1)コントローラの過熱保護によるリセット、または(2)バスパワー給電の一時的な電圧降下(ピーク時10W〜12W要求に対してポート供給が不足)の2点です。省電力な単面実装TLC SSD(Lexar NM790等)と大型放熱ケースを組み合わせることで切断率が大幅に低下します。

5. 検証条件・一次情報ソース (Provenance)

検証環境・集計メソドロジー: r/NewMaxx および r/UsbCHardware に投稿された CrystalDiskMark ピーク値ではなく、500GB〜1TB単一イメージ連続書き込み試験(室温24〜26℃)のログ41件を集計。pSLCキャッシュ枯渇後のTLC/QLCネイティブ書き込み速度中央値を比較。
データ引用・出典フォーマット (CC BY 4.0): Nodus Research Editorial「USB4 / 40Gbps 外付けSSD「SLCキャッシュ枯渇後の連続書き込み速度・温度」実測比較データベース」(2026-10-12更新, N=41) — https://nodus-lab.pages.dev/articles/external-ssd-usb4-40gbps-sustained-write-thermal-throttling.html

6. あわせて読みたい関連検証データ